英伟达RTX 50系列显卡被曝推迟，需重新流片以提升良率
发布日期：2024-09-19 22:14
来源类型：央视网 | 作者：Hidayat
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IT之家 9 月 3 日消息，中国台湾《工商时报》今天报道称，台积电 CoW-SoW 预计 2027 年量产。为提升良率，英伟达需要重新设计 GPU 顶部金属层和凸点。
不只是 AI 芯片需要 RTO（重新流片）修改设计，@手机晶片达人 表示英伟达正准备发布的 RTX 50 系列消费级显卡 GPU 也需要 RTO，故上市时间有所推迟。
英伟达 Blackwell 被黄仁勋称为「非常非常大的 GPU」，当然它确实也是目前业界面积最大的 GPU，由两颗 Blackwell 芯片拼接而成，采用台积电 4nm 制程，拥有 2080 亿个晶体管。也正因此，这类芯片难免会遇到封装方式过于复杂的问题。
台积电的 CoWoS-L 封装技术需使用 LSI（本地互连）桥接 RDL（硅中介层）连接芯粒，传输速度可达 10TB/s 左右，不过由于封装步骤中桥接精度要求极高，稍有缺陷便有可能导致这颗价值 4 万美元（IT之家备注：当前约 28.4 万元人民币）的芯片报废，从而影响良率及成本。
法人透露，由于 GPU 芯粒、LSI 桥接、RDL 中介层和主基板之间的热膨胀系数（CTE）相异，导致芯片翘曲、系统故障，故英伟达需重新设计 GPU 顶部金属层和凸点，以提高封装良率。
当然，这类问题不只是英伟达存在，只是英伟达出货量较高，所以更敏感。供应链透露，这类问题只会越来越多，而这种为了消除缺陷或为提高良率而变更芯片设计的方式在业内相当常见。AMD CEO 苏姿丰也曾透露，随着芯片尺寸不断扩大，制造复杂度将不可避免地增加，次世代芯片需要在效能和功耗方面取得突破，才能满足 AI 数据中心对算力的巨大需求。
为应对此类大芯片趋势、及 AI 负载需要更多 HBM，台积电计划结合 InFO-SoW 和 SoIC 为 CoW-SoW，将存储芯片或逻辑芯片堆叠于晶圆上，并预计于 2027 年实现量产。
马农·阿泽姆：
7秒前：为提升良率，英伟达需要重新设计 GPU 顶部金属层和凸点。
Casini：
4秒前：英伟达 Blackwell 被黄仁勋称为「非常非常大的 GPU」，当然它确实也是目前业界面积最大的 GPU，由两颗 Blackwell 芯片拼接而成，采用台积电 4nm 制程，拥有 2080 亿个晶体管。
丹尼斯·奎德：
6秒前：法人透露，由于 GPU 芯粒、LSI 桥接、RDL 中介层和主基板之间的热膨胀系数（CTE）相异，导致芯片翘曲、系统故障，故英伟达需重新设计 GPU 顶部金属层和凸点，以提高封装良率。
许烁：
4秒前：也正因此，这类芯片难免会遇到封装方式过于复杂的问题。